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缺陷代表Hopg平板表面上的应变线。Hopg层上的丰富电子作为E FF 2D仪场感到应变（有关评论，请参见[4]）。真正影响电子行为的仪表不变的场实际上是应变梯度，尤其是，缺陷充当外部磁场，将电子沿它们沿它们的颗粒中定位，在这些磁场中，沿着缺陷的定位归因于剪切梯度菌株造成的，这是由于diagonal pressations的剪切梯度归因于滴水的形成，因此是由于滴水量的调节而导致的。由于电子被e ff磁场旋转，因此沿hopg表面上观察到的dects沿典型的局部铁磁磁性产生了典型的局部铁磁[5]。不过，还有另一个可能与非那样的国家竞争。众所周知，随机应变波动构成了Hopg板上的疾病的主要来源，并且平面波动是主要的[6]。这些是通过波动的量规场与电子耦合的波动表示[1，6]。在这种情况下，表面上的线缺陷的存在具有至关重要的e ff ect。由于线路缺陷明确打破了表面上的2D均衡对称性，因此应包含应变量规场的E ff efff efcipe仪表作用，作为红外义务项，Chern – Simons术语[7]，

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